ERBIY BILAN LEGIRLANGAN KREMNIYNING IK SPEKTR TAHLILI
Keywords:
erbiy, legirlangan kremniy, infraqizil spektroskopiya, lyuminesensiya, optik xususiyatlar, elektrofizik xususiyatlar, Choxralskiy usuli, diffuziya, termal ishlov berish, sovitish tezligi, nanooptika, fotonika.Abstract
Ushbu ilmiy ishda erbiy (Er) elementi bilan legirlangan kremniy (Si) materialining optik va elektrofizik xususiyatlari infraqizil (IK) spektroskopiya yordamida batafsil o‘rganildi. Tadqiqot natijalariga ko‘ra, erbiy ionlarining kremniy kristall panjarasiga kiritilishi materialning optik xususiyatlarini sezilarli darajada o‘zgartirishi aniqlandi. Ayniqsa, 1.54 mikrometr (µm) to‘lqin uzunligida yorug‘likni yutish va lyuminesensiya xususiyati kuzatildi, bu esa ushbu materiallarni optik telekommunikatsiya tizimlarida qo‘llash imkoniyatini kengaytiradi. Bundan tashqari, erbiyning legirlanishi materialning fotonlarni qayta nurlanishi va energiya saqlash qobiliyatini oshirib, optik kuchaytirgichlar va lazer qurilmalari samaradorligini yaxshilaydi [1, 6]. Shu sababli, erbiy bilan legirlangan kremniy materiallari yuqori samarali fotodetektorlar, fotovoltaik elementlar, shuningdek, telekommunikatsiya va fotonika sohasidagi boshqa ilg‘or optik qurilmalarda qo‘llash uchun istiqbolli hisoblanadi. Tadqiqot shuni ko‘rsatadiki, erbiy ionlarining konsentratsiyasi va kristall panjarasiga kiritilish usuli materialning optik va elektrofizik xususiyatlarini boshqarishda muhim rol o‘ynaydi, bu esa kelajakda yangi turdagi nanooptik va fotonika tizimlarini yaratishda muhim ahamiyat kasb etadi [2, 3].
References
1. Aynul Islam ., Anika Tasnim .“Erbium Related Photoluminescence of Silicon: Influence of Co-doping with Oxygen and Hydrogenation” International Conference on Advanced Engineering and Technology (ICAET 2020) doi:10.1088/1757-899X/1117/1/012005
2. Далиев Х.С., Лебедев А.А., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных γ- квантами при наличии электрического поля в диэлектрике. ФТП, 1987, т.21, в.1, с.23-29. (№11. Springer, IF: 0.603).
3. O. V. Aleksandrov., A. O. Zakhar’in., N. A. Sobolev and Yu. A. Nikolaev. Electrical Properties of Silicon Layers Implanted with Erbium and Oxygen Ions in a Wide Dose Range and Thermally Treated in Different Temperature Conditions. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia(2001).
4. Н.А.Соболев.Кремний,легированный эрбием новый полупроводниковый материал для оптоэлектроники. Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева), 2001, т. XLV, № 5-6.
5 Ammerlaan, C. A. J., & de Maat-Gersdorf, I. — Spectroscopic Characterisation of Erbium
Impurity in Crystalline Silicon. Solid State Phenomena. scientific.net
6 Utamuradova, S. B., Daliev, K. S., Khaitbaev, A. I., va boshqalar — Defect Structure of Silicon Doped with Erbium. East European Journal of Physics, 2024.
